Vishay IRLD024PBF

Name: Vishay IRLD024PBF
Brand: Vishay
SKU: IRLD024PBF

Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLD024PBF	0	2500	Bulk					1.130	8h
TTI Asia	IRLD024PBF	連絡先							0.820	1d
TTI Europe	IRLD024PBF	0	100	Tube						20h
Farnell	IRLD024PBF	0	1		1.935*	1.465*	1.371*	1.135*	1.135*	16h
element14 APAC	IRLD024PBF	0	1		1.322*	0.947*	0.748*	0.527*	0.498*	1d

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Vishay IRLD024PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Upverter

Datasheet9ページ3年前

Newark

element14 APAC

element14

RS (Formerly Allied Electronics)

CADモデル

製造元 Vishay IRLD024PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	シンボルフットプリント		ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1990-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-11-18

LTD Date2025-05-18

説明

Vishay IRLD024PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

Future Electronics

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP / Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP

Win Source

Transistor: unipolar, N-MOSFET; 60V; 2.5A; 1.3W; DIP4

Fly-Wing Technology

POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

N Channel Mosfet, 60V, 2.5A, Hd-1; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:2.5A; On Resistance Rds(On):0.1Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:5V Rohs Compliant: No

Newark

MOSFET, N, LOGIC, DIL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2.5A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRLD024PBF; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Pd:1W; Pulse Current Idm:20A; Row Pitch:7.62mm; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:10V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V

element14 APAC