Vishay IRFD024PBF

Name: Vishay IRFD024PBF
Brand: Vishay
SKU: IRFD024PBF

Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFD024PBF	0	2500	Bulk					0.980	15h
TTI Europe	IRFD024PBF	0	100	Tube						3h
Farnell	IRFD024PBF	0	1		2.525*	1.625*	1.625*	1.625*	1.625*	23h
element14 APAC	IRFD024PBF	0	1		1.383*	0.985*	0.789*	0.551*	0.521*	1d
Microchip USA	IRFD024PBF	369	150	Bulk				15.795	15.795	7d

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Farnell

Datasheet9ページ4年前

Newark

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サプライチェーン

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1990-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay IRFD024PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

Future Electronics

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | Siliconix / Vishay IRFD024PBF

RS (Formerly Allied Electronics)

POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, DIL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; Current Id Max:2.5A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1.3W; Power Dissipation Pd:1.3W; Pulse Current Idm:19A; Row Pitch:7.62mm; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC