CADモデル
製造元 Vishay IRFP460BPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 2.11
Stock
100,372
12,797
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247-3
TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
500 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
Rds On Max
250 mΩ
250 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
278 W
278 W
Input Capacitance
3.094 nF
3.094 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
説明
Vishay IRFP460BPBFの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N-CH, 500V, 20A, TO-247AC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.094 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation278 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation278 W
Rds On Max250 mΩ
Rise Time31 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time117 ns
Turn-On Delay Time24 ns