CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 1.63
Stock
57,413
174,716
Authorized Distributors
0
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247-3
TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
30 A
30 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
-
85 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
190 W
190 W
Input Capacitance
-
2.8 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-11-20
LTD Date2016-05-20
説明
Vishay IRFP250の詳細は販売業者から提供されます。
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Single-Gate MOSFET Transistors 200V Single N-Channel HEXFET
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin (3+Tab) TO-247AC
MOSFET; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Drain Source On Resistance @ 10V:85mohm; Thermal Resistance, Junction-Case:0.65°C/W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:19A; Gate-To-Drain Charge:74nC; Leaded Process Compatible:No ;RoHS Compliant: No
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating30 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time62 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation190 W
Rise Time86 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm