CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2024-11-18
LTD Date2025-05-18
説明
Vishay IRFD220PBFの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP | Siliconix / Vishay IRFD220PBF
Trans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HexDIP
POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N Channel Mosfet, 200V, 800Ma, Hd-1; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:800Ma; On Resistance Rds(On):0.8Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: No
MOSFET, N, DIL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:800mA; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Pd:1W; Pulse Current Idm:6.4A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageDIP
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)800 mA
Current Rating800 mA
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance260 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation1 W
Rds On Max800 mΩ
Recovery Time300 ns
Resistance800 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height3.37 mm
Length5 mm
Width6.29 mm