Vishay IRFD210PBF

Name: Vishay IRFD210PBF
Brand: Vishay
SKU: IRFD210PBF

Single N-Channel 200 V 1.5 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

$ 0.508

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	IRFD210PBF	182	1		0.540	0.540	0.540	0.540	0.540
Verical	2	IRFD210PBF	21	12				0.508	0.508	0.508
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFD210PBF	2	1	Bulk	0.400	0.400	0.400	0.400	0.400	8h
TTI Europe		IRFD210PBF	0	100	Tube						10h
Farnell		IRFD210PBF	0	1		1.998*	1.274*	1.249*	1.223*	1.223*	7h

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Farnell

Datasheet9ページ4年前

Newark

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RS (Formerly Allied Electronics)

TME

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1993-09-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-11-18

LTD Date2025-05-18

説明

Vishay IRFD210PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 200 V 1.5 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

Future Electronics

MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP | Siliconix / Vishay IRFD210PBF

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP

Verical

HEXFET POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, DIL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; Current Id Max:600mA; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Pd:1W; Pulse Current Idm:4.8A; Row Pitch:7.62mm; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC