CADモデル
製造元 Vishay IRF9640S のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | 3D | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.945
Stock
351,796
35,191
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
200 V
-
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
500 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
125 W
3 W
Input Capacitance
1.2 nF
-
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
説明
Vishay IRF9640Sの詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A) | MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
PCHAN 11A 200V 0.50OHM SMD-220
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating-11 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation125 W
Rds On Max500 mΩ
Rise Time43 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)-200 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm