CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 1.615
$ 1.84
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Stock
188,234
139,329
139,329
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
-100 V
-100 V
-100 V
Continuous Drain Current (ID)
19 A
19 A
19 A
Threshold Voltage
-4 V
-4 V
-4 V
Rds On Max
200 mΩ
200 mΩ
200 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
3.7 W
3.7 W
3.7 W
Input Capacitance
1.4 nF
1.4 nF
1.4 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
関連部品
InfineonIRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK "P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK"
InfineonIRF9540NSTRRPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK "P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK"
InfineonIRF9530NSTRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID -14A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;-55
onsemiFQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK / Trans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
説明
Vishay IRF9540STRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。
Single P-Channel 100 V 0.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
P-Channel MOSFET 100V 200mΩ@11A,10V 19A 61nC@10V 4V@250µA 1.4nF@25V 3.7W(Ta) 150W(Tc) D2PAK/TO-263 SMD
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time57 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max200 mΩ
Resistance200 mΩ
Rise Time73 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm