価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | IRF620STRLPBF | 800 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | IRF620STRLPBFCT-ND | 24 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | IRF620STRLPBF | 800 | 800 | Tape & Reel | 12h | |||||||
| TME | IRF620STRLPBF | 0 | 800 | 23h | ||||||||
| Newark | IRF620STRLPBF | 0 | 800 | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Vishay IRF620STRLPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.94
$ 0.92
$ 0.92
Stock
80,788
65,425
65,425
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
5.2 A
5.2 A
5.2 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
800 mΩ
800 mΩ
800 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
3 W
3 W
3 W
Input Capacitance
260 pF
260 pF
260 pF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
説明
Vishay IRF620STRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
3W(Ta),50W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 14nC@ 10 V 1N 200V 800m¦¸@ 3.1A,10V 5.2A 260pF@25V D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:5.2A; On Resistance, Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SMD-220 ;RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance260 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Rds On Max800 mΩ
Resistance800 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm