CADモデル
製造元 Texas Instruments CSD23381F4 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.12
$ 0.34
Stock
1,457,437
303,568
Authorized Distributors
4
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SMD/SMT
QFN
Drain to Source Voltage (Vds)
12 V
-12 V
Continuous Drain Current (ID)
2.3 A
-2.3 A
Threshold Voltage
-
-950 mV
Rds On Max
175 mΩ
175 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-8 V
-8 V
Power Dissipation
500 mW
500 mW
Input Capacitance
236 pF
236 pF
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 14 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
エンジニアリングリソース
Texas InstrumentsCSD23381F4の評価キットとリファレンスデザインを表示します。
説明
Texas Instruments CSD23381F4の詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet, P-Ch, 12V, 2.3A, Lga-3 Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD23381F4
Trans MOSFET P-CH 12V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R / MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
-12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 1 mm, 175 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
500mW(Ta) 8V 1.2V@ 250µA 1.14nC@ 4.5 V 1individualPChannel 12V 175mΩ@ 500mA,4.5V 2.3A 236pF@6V PICOSTAR-3 SMD mount 1mm*640μm*350μm
メーカーの別名
Texas Instrumentsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Texas Instruments は以下の名前でも知られているかもしれません：
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
技術仕様
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance175 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)-8 V
Input Capacitance236 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation500 mW
Rds On Max175 mΩ
Rise Time3.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1.035 mm
Width635 µm