CADモデル
製造元 STMicroelectronics TIP29C のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.273
$ 0.535
$ 0.535
Stock
190,169
238,520
238,520
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
30 W
2 W
2 W
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-02-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
説明
STMicroelectronics TIP29Cの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220AB, Through Hole
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, HIGH GAIN, POWER, VCEO 100V, IC 1A, PD 30W, TO-220,HFE 75
TIP29C Series NPN 100 V 1 A Power Transistor Flange Mount - TO-220
Trans GP BJT NPN 100V 1A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TO-220(TO-220-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
NPN power transistor,TIP29C 3A TO-220
Power Transistor, TO-220AB, NPN, 100V
STMicroelectronics NPNTransistor, TO-220encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current1 A, maximum collector-emission voltage100 V
Transistor, Npn, To-220; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:100V; Transition Frequency Ft:-; Power Dissipation Pd:30W; Dc Collector Current:1A; Dc Current Gain Hfe:75Hfe; Transistor Case Style:To-220; No. Of Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics TIP29C
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight9.071847 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min15
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation30 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm