CADモデル
製造元 STMicroelectronics STW62N65M5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTW69N65M5
N-channel 650 V, 0.037 Ohm typ., 58 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPW60R040C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 50 A, 40 mOhm, TO-247, 3 Pins, Through Hole
説明
STMicroelectronics STW62N65M5の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH Si 650V 46A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STW62N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 46 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 Ohm typ., 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 package
330W(Tc) 25V 5V@ 250µA 142nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 49mΩ@ 23A,10V 46A 6.42nF@100V TO-247-3 Through hole mounting 20.15mm(height)
MOSFET, N-CH, AUTO, 650V, 46A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 46A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage710 V
Drain to Source Resistance49 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance6.42 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation330 W
Rds On Max49 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time101 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant