CADモデル
製造元 STMicroelectronics STU4N62K3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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説明
STMicroelectronics STU4N62K3の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 22nC@ 10 V 1individualNChannel 620V 2Ω@ 1.9A,10V 3.8A 550pF@50V IPAK，TO-251 Through hole mounting 8.4mm(height)
620 V, 3.8 A, 1.8 OHM, IPAK SUPERMESH3 N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 620V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, N CH, 620V, 3.8A, IPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.8A; Drain Source Voltage Vds: 620V; On Resistance Rds(on): 1.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Pow
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance1.95 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance550 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max2 Ω
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm