CADモデル
製造元 STMicroelectronics STP140NF75 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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関連部品
STMicroelectronicsSTP160N75F3
N-channel 75 V, 3.5 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP80N70F6
N-channel 68 V, 0.0052 Ohm, 96 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP034NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonIPP034N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 N-Channel 80 V 120A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
説明
STMicroelectronics STP140NF75の詳細は販売業者から提供されます。
N-CHANNEL 75V - 0.0065 OHM -120A TO-220 STripFET II MOSFET
STP140NF75 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 75 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube STripFET IIseries, Vds=75 V, 120 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N CH, 75V, 120A, TO220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Current Rating120 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation310 W
Rds On Max7.5 mΩ
Resistance7.5 mΩ
Rise Time140 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time130 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm