Infineon IPP034NE7N3GXKSA1

Name: Infineon IPP034NE7N3GXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP034NE7N3GXKSA1

214W 20V 3.1V 88NC@ 10V 1N 75V 3.4M¦¸@ 10V 100A 6.11NF@ 37.5V TO-220 10MM*4.4MM*15.65MM

$ 1.668

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IPP034NE7N3GXKSA1	495	1		1.616	1.616	1.616	1.616	1.616
Future Electronics	2	IPP034NE7N3GXKSA1	500	500	Tube				2.000	1.960
DigiKey		IPP034NE7N3GXKSA1-ND	512	1	Tube	4.670	4.670	2.177	1.668	1.525
Rochester Electronics		IPP034NE7N3GXKSA1	15,650								23h
Avnet		IPP034NE7N3GXKSA1	0	500					1.482	1.459	2d

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-04-30

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IPP034NE7N3GXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

214W 20V 3.1V 88nC@ 10V 1N 75V 3.4m¦¸@ 10V 100A 6.11nF@ 37.5V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm

Unikeyic (ICkey)

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin TO-220 Tube

Avnet

100 A 75 V 0.0034 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB

Component Stockers USA

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive, PG-TO220-3, RoHS

Infineon SCT

75V 100A 3.4m´Î@10V100A 214W 3.8V@155Ã×A N Channel PG-TO220-3 MOSFETs ROHS

Dasenic

MOSFET 75V 100A 3.4mOHM TO220 RoHSconf

Rutronik

MOSFET, N-CH, 75V, 100A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.1V;

Farnell

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest on-state resistances and superior switching performance.

Infineon