CADモデル
製造元 STMicroelectronics STH310N10F7-6 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTH315N10F7-6
Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
InfineonIPB180N10S402ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 2.5 mOhm, TO-263 (D2PAK), 7 Pins, Surface Mount
InfineonIRFS4010-7PPBF
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube / MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
STMicroelectronicsSTH270N8F7-6
N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
InfineonIRFS4010TRL7PP
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 190A, D2PAK-7; Transistor Polarity:N Channel; C
STMicroelectronicsSTH180N10F3-6
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
説明
STMicroelectronics STH310N10F7-6の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 100 V, 1.9 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
STH310N10F7-6 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 180 A, 100 V, 7-PIN H2PAK
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, H2PAK-6-7; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 180A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V; Power Dissipation Pd: 315W; Transistor Case Style: H2PAK-6; No. of Pins: 7Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: STripFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation315 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation315 W
Rds On Max2.5 mΩ
Rise Time108 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.5 V
Turn-Off Delay Time148 ns
Turn-On Delay Time62 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length15.25 mm
Width10.4 mm