CADモデル
製造元 STMicroelectronics STH270N8F7-6 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
関連部品
InfineonIRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTH315N10F7-6
Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
STMicroelectronicsSTH310N10F7-6
N-channel 100 V, 1.9 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
InfineonIPB180N08S402ATMA1
80V, N-Ch, 2.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
STMicroelectronicsSTH275N8F7-6AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 / N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
説明
STMicroelectronics STH270N8F7-6の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
STH270N8F7-6 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 80 V, 7-Pin H2PAK-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 / Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R
Mosfet, N-Ch, 80V, 180A, H2Pak-6; |Stmicroelectronics STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFETs, 80V, 180A, H2PAK-6, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
315W(Tc) 20V 4V@ 250µA 193nC@ 10 V 1individualNChannel 80V 2.1mΩ@ 90A,10V 180A 13.6nF@50V H2PAK SMD mount 5mm(height)
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation315 W
Rds On Max2.1 mΩ
Rise Time180 ns
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time56 ns
Dimensions
Height4.8 mm
Length10.4 mm
Width15.25 mm