STMicroelectronics STGWT80H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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STMicroelectronics

Datasheet22ページ13年前

Future Electronics

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サプライチェーン

Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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IGBT 650V 150A 455W TO-247 / Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube / IGBT 650V 120A 600W TO3P
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onsemiFGA6065ADF
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
詳細

説明

STMicroelectronics STGWT80H65DFBの詳細は販売業者から提供されます。

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 470000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Verical
STGWT80H65DFB, IGBT TRANSISTOR, 120 A 650 V, 1MHZ, 3-PIN TO-3P
RS (Formerly Allied Electronics)
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IHS
IGBT Trench HB Series 650V 80A TO-3P
RS APAC
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
DigiKey
TO3P IGBT 80A @100C 600V TRENC
Anglia
IGBT, SINGLE, 650V, 120A, TO-3P; DC Collector Current: 120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 469W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-3P; No. of Pins:
Farnell

画像

RS
Augswan
Newark
Lanka Micro
UTSource
Future Electronics

メーカーの別名

STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics