CADモデル
製造元 STMicroelectronics STGWA80H65FB のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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関連部品
LittelfuseIXXH40N65B4
Trench Series - 650V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-247, RoHS
STMicroelectronicsSTGW40H65FB
IGBT 650V 80A 283W TO247 / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 283 W Through Hole TO-247-3
説明
STMicroelectronics STGWA80H65FBの詳細は販売業者から提供されます。
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Igbt |Stmicroelectronics STGWA80H65FB
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
469W 1.6V 650V 120A TO-247 15.8mm*5mm*21mm
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current120 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation469 W
Min Operating Temperature-55 °C