STMicroelectronics STGW30V60DF

Name: STMicroelectronics STGW30V60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGW30V60DF

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed

$ 1.648

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	45AC7602	50	1		4.450	2.760	2.510	2.390	2.390	3h
Newark		STGW30V60DF	859	1		1.820	1.820	1.820	1.820	1.820
Verical		STGW30V60DF	50	28				2.639	2.639	2.639
TME	2	STGW30V60DF	399	1		3.640	2.570	2.570	2.570	2.570	22h
DigiKey		497-13765-5-ND	280	1	Tube	3.950	3.950	2.162	1.476	1.231

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STMicroelectronics

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説明

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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed

STMicroelectronics

V Series 600 V 60 A Through Hole Silicon IGBT - TO-247-3

Future Electronics

258W 60A 600V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

EBEE

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

IHS

IGBT Trench gate,600V 30A/100 deg,TO247

RS APAC

IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3

DigiKey

TO247 IGBT 30A 600V TRENCH GAT

Anglia

STGW30V60DF, 30 A 600 V, 1MHZ, 3-PIN TO-247

RS (Formerly Allied Electronics)

STMICROELECTRONICS STGW30V60DF

Avnet

Igbt, Single, 600V, 60A, To-247; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.85V; Power Dissipation:258W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGW30V60DF

Newark