onsemi HGTG20N60A4

Name: onsemi HGTG20N60A4
Brand: onsemi
SKU: HGTG20N60A4

HGTG20N60A4 Series 600 V 70 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT-TO-247

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell		HGTG20N60A4	0	1		5.345*	5.235*	5.126*	5.126*	5.126*	13h
element14 APAC		HGTG20N60A4	0	1		7.504*	5.019*	4.016*	3.701*	3.701*	3h
Win Source		WS-HGTG20N60A4	1,790	12				3.619	3.244	3.244	14h
Classic Components	4	HGTG20N60A4	9,092								1d
Worldway Electronics		HGTG20N60A4	19,979	7	Tube		2.011	1.950	1.847	1.847	13h

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onsemi

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IHS

Fairchild Semiconductor

element14 APAC

Future Electronics

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ソース	eCAD	mCAD	ファイル
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1999-10-22

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)

LTB Date2021-07-29

LTD Date2022-01-29

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

説明

onsemi HGTG20N60A4の詳細は販売業者から提供されます。

HGTG20N60A4 Series 600 V 70 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT-TO-247

Future Electronics

Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT); Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:70A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.8V; Power Dissipation, Pd:290W ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The HGTG20N60A4 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS, welder and induction heating.

Fairchild Semiconductor

IGBT, N, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:70A; Collector Emitter Voltage Vces:2.7V; Power Dissipation Pd:290W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic Continuous a Max:70A; Current Temperature:25°C; Device Marking:HGTG20N60A4; Fall Time tf:32ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Pin Format:GCE; Power Dissipation Max:290W; Power Dissipation Pd:290W; Power Dissipation Pd:290W; Power Dissipation Ptot Max:290W; Pulsed Current Icm:280A; Rise Time:12ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC