CADモデル
製造元 STMicroelectronics STGP19NC60H のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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関連部品
STMicroelectronicsSTGF20H60DF
H Series 600 V 40 A Flange Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220FP
LittelfuseIXDP20N60BD1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
説明
STMicroelectronics STGP19NC60Hの詳細は販売業者から提供されます。
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
40 A 600 V N-CHANNEL IGBT TO-220AB
IGBT 600V 40A 130W TO220
very fast IGBT
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation130 W