STMicroelectronics STGP10H60DF

Name: STMicroelectronics STGP10H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGP10H60DF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

$ 0.736

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STGP10H60DF	276	1		2.500	1.280	1.110	1.040	1.040
DigiKey		497-14277-5-ND	432	1	Tube	2.310	2.310	1.006	0.736	0.593
TME	2	STGP10H60DF	0	1		2.100	0.950	0.890	0.890	0.890	16h
Avnet		STGP10H60DF	0	2K						0.585	5h
Future Electronics		STGP10H60DF	0	50	Tube			0.690	0.655	0.620

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Farnell

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Future Electronics

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed

STMicroelectronics

H Series 600 V 20 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220-3

Future Electronics

STGP10H60DF, IGBT Transistor, 20 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-220

RS (Formerly Allied Electronics)

Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

IGBT, SINGLE, 600V, 20A, TO-220AB; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.5V; Power Dissipation Pd: 115W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220AB; No. of P

Farnell