STMicroelectronics STGF10NB60SD

Name: STMicroelectronics STGF10NB60SD
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGF10NB60SD

STGF10NB60SD Series 600 V 23 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220FP

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Newark		STGF10NB60SD	750	1K				1.070	1.070
Arrow Electronics	2	STGF10NB60SD	90,300	1	1.132	0.917	0.863	0.736	0.736
Verical	2	STGF10NB60SD	2,000	1K				0.634	0.631
TME	2	STGF10NB60SD	36	1	1.660	1.510	1.510	1.510	1.510	13h

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説明

STMicroelectronics STGF10NB60SDの詳細は販売業者から提供されます。

STGF10NB60SD Series 600 V 23 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220FP

Future Electronics

16 A, 600 V low drop IGBT with soft and fast recovery diode

STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Verical

Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins

Fly-Wing Technology

25W 23A 600V TO-220FP-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

EBEE

IGBT, TO-220FP; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.8V; Power Dissipation Pd: 25W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220FP; No. of Pins: 3Pins; Operating

Farnell