CADモデル
製造元 STMicroelectronics STGD10NC60ST4 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-01-23
LTD Date2014-07-23
関連部品
STMicroelectronicsSTGD10HF60KD
Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
説明
STMicroelectronics STGD10NC60ST4の詳細は販売業者から提供されます。
Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
10 A, 600 V, fast IGBT
IGBT 600V 18A 60W DPAK
18 A 600 V N-CHANNEL IGBT TO-252
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current18 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®