Infineon IRG4RC10SDPBF

Name: Infineon IRG4RC10SDPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4RC10SDPBF

Tube Surface Mount ROHS3Compliant IGBT Transistor 1.8V @ 15V 8A 14A 38W 28ns

$ 0.829

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRG4RC10SDPBF	64					0.999	0.829	0.739	22h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRG4RC10SDPBF	0	5	Bulk		6.480	5.830	5.830	5.830	14h
Farnell	IRG4RC10SDPBF	0	1		2.471*	1.887*	1.480*	1.033*	1.033*	8h
Microchip USA	IRG4RC10SDPBF	107	300	Bulk				5.135	5.135	14h
Win Source	WS-IRG4RC10SDPBF	19,194	40				1.191	0.967	0.967	23h

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IHS

Datasheet11ページ18年前

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Newark

iiiC

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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRG4RC10SDPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Tube Surface Mount ROHS3Compliant IGBT Transistor 1.8V @ 15V 8A 14A 38W 28ns

Fly-Wing Technology

IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:14A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.7V; Power Dissipation, Pd:38W; Package/Case:TO-252AA ;RoHS Compliant: Yes

Newark

IGBT, D-PAK 600V 14A; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:14A; Collector Emitter Voltage Vces:1.7V; Power Dissipation Pd:38W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:14A; Fall Time Max:31ns; Package / Case:TO-252; Power Dissipation Max:38W; Power Dissipation Pd:38W; Power Dissipation Pd:38W; Pulsed Current Icm:18A; Rise Time:31ns; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel

element14 APAC