CADモデル
製造元 STMicroelectronics STFW69N65M5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTW69N65M5
N-channel 650 V, 0.037 Ohm typ., 58 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW69N65M5-4
N-channel 650 V, 0.037 Ohm typ., 58 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 package
InfineonIPW65R048CFDAFKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
説明
STMicroelectronics STFW69N65M5の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.037 Ohm typ., 58 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
Mosfet, N-Ch, 650V, 58A, 150Deg C, 79W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STFW69N65M5
STFW69N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 58 A, 710 V, 3-PIN TO-3PF
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
STMicroelectronics NMOS MDmesh M5, Vds=710 V, 58 A, TO-3PF, , 3
MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh V MOS
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 58A, 150度 C, 79W;
Power MOSFETs, 650V, 58A, TO-3PF, Tube
STMicroelectronics SCT
STMICROELECTRONICS STFW69N65M5 MOSFETS
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)58 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance6.42 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max45 mΩ
Resistance45 mΩ
Turn-Off Delay Time102 ns
Turn-On Delay Time102 ns
Dimensions
Height26.7 mm
Length15.7 mm
Width5.7 mm