価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Mouser | 511-STFI20N65M5 | 1,405 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STFI20N65M5 | 127 | 600 | Tube | 13h | |||||||
| Win Source | WS-STFI20N65M5 | 20 | 14 | 20h | ||||||||
| Worldway Electronics | STFI20N65M5 | 10,697 | 7 | Tube | 19h | |||||||
| SHENGYU ELECTRONICS | STFI20N65M5 | 4,362 | 1 | 4d |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STFI20N65M5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
関連部品
STMicroelectronicsSTI20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI31N65M5
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
説明
STMicroelectronics STFI20N65M5の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STFI20N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 710 V, 3-Pin I2PAKFP
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880S T/R
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.434 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max190 mΩ
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time11.5 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Dimensions
Height10.85 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm