CADモデル
製造元 STMicroelectronics STFI31N65M5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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関連部品
STMicroelectronicsSTI33N65M2
N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTI33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
説明
STMicroelectronics STFI31N65M5の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STFI31N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 22 A, 710 V, 3-Pin I2PAKFP
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance124 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.865 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max148 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time46 ns
Dimensions
Height10.85 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm