CADモデル
製造元 STMicroelectronics STF9NM60N のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTF11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
VishaySIHF5N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
説明
STMicroelectronics STF9NM60Nの詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A TO-220FP MDmesh(TM) II Power MOSFET
STF9NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.5 A, 600 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
6.5 A 600 V 0.745 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
600 V, 6.5 A, 0.63 OHM, TO-220FP N-CHANNEL MDMESH II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 0.745ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmeshseries, Vds=600 V, 6.5 A, TO-220FPencapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N CH, 600V, 6.5A, TO220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.63ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Po
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance745 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance452 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max745 mΩ
Resistance745 MΩ
Rise Time23 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time52.5 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm