CADモデル
製造元 STMicroelectronics STD9HN65M2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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説明
STMicroelectronics STD9HN65M2の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Trans MOSFET N-CH 650V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
100% avalanche tested | MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 650V, 0.82ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Ptd High Voltage |Stmicroelectronics STD9HN65M2
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Resistance820 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Input Capacitance325 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max820 mΩ
Schedule B8541290080