CADモデル
製造元 STMicroelectronics STD95N4LF3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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関連部品
STMicroelectronicsSTD100N3LF3
N-channel 30 V, 0.0045 Ohm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
説明
STMicroelectronics STD95N4LF3の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 40 V, 5 mOhm, 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in DPAK package
Transistor MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R
Mosfet, N-Ch, 40V, 80A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STD95N4LF3
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max6 mΩ
Resistance6 MΩ
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time7.5 ns