CADモデル
製造元 STMicroelectronics STD7N65M2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
関連部品
InfineonIPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
STMicroelectronicsSTD9HN65M2
N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
InfineonIPD65R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3 N-Channel 650 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
InfineonIRFR825PBF
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
説明
STMicroelectronics STD7N65M2の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MCU 16-bit/32-bit ADuC7xxx ARM7TDMI RISC 62KB Flash 3.3V 64-Pin LFCSP EP
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 650V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 5A, TO-252-3;
60W(Tc) 25V 4V@ 250µA 9nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 1.15Ω@ 2.5A,10V 5A 270pF@100V DPAK，TO-252-3 SMD mount
Power MOSFETs, 650V, 5A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
650V, 5A, 1.15mOhm, N-channel, DPAK
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 5A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.98ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 60W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance1.15 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance270 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max1.15 Ω
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time8 ns