CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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関連部品
STMicroelectronicsSTD7LN80K5
N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
説明
STMicroelectronics STD6N80K5の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.0016ohm, N-Channel
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Zener-protected | MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
STD6N80K5 MOS-FET Enh N 800 V 4.5 A
MOSFET, N-CH, 800V, 4.5A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.5A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 1.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)500 mA
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance255 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Manufacturer Package IdentifierDPAK-0068772_type-E
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation85 W
Rds On Max1.6 Ω
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time28.5 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height2.52 mm