STMicroelectronics STD4NK60Z-1

Name: STMicroelectronics STD4NK60Z-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD4NK60Z-1

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in IPAK

$ 0.444

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	STD4NK60Z-1	3,000	1		0.516	0.516	0.516	0.516	0.516
Verical	2	STD4NK60Z-1	3,000	3K						0.332
TME	2	STD4NK60Z-1	316	1		1.184*	0.753*	0.524*	0.383*	0.364*	20h
DigiKey		497-19650-ND	8	1	Tube	1.380	1.380	0.602	0.444	0.334
Avnet		STD4NK60Z-1	0	3K						0.300	1d

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

STMicroelectronics STD4NK60Z-1の詳細は販売業者から提供されます。

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in IPAK

STMicroelectronics

Mosfet Transistor, N Channel, 2 A, 600 V, 1.76 Ohm, 10 V, 3.75 V |Stmicroelectronics STD4NK60Z-1

Newark

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube / MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Win Source

MOSFET, N CH, 600V, 4A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):1.76ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:4A; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:70W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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