CADモデル
製造元 STMicroelectronics STD17NF03L-1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
説明
STMicroelectronics STD17NF03L-1の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17 A STripFET II Power MOSFET in IPAK package
N-Channel 30 V 50 mOhm Through Hole StripFET II Power Mosfet - IPAK
N-CHANNEL 30V-0.038 OHM-17A-IPAK STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, N CH, 30V, 17A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):38mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-251AA; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:17A; Package / Case:IPAK; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:16V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance320 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max50 mΩ
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height8.4 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm