価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STD105N10F7AG | 2,500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | STD105N10F7AG | 788 | 1 | |||||||||
| TME | STD105N10F7A-STM-0 | 2,500 | 2500 | 22h | ||||||||
| DigiKey | 497-15305-1-ND | 2,486 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | STD105N10F7AG | 0 | 2500 | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STD105N10F7AG のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-10-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonIPD068N10N3GATMA1
150W 20V 2.7V 51nC N MOSFET 100V 6.8m¦¸@ 10V 90£¨Tc=25¡ãC£©,72£¨Tc=100¡ãC£© 3.69nF@ 50V TO-252
STMicroelectronicsSTD80N10F7
N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
説明
STMicroelectronics STD105N10F7AGの詳細は販売業者から提供されます。
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
120W(Tc) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 61nC@ 10 V 1N 100V 8m¦¸@ 40A,10V 80A 4.369nF@50V DPAK 2.63mm
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 100V, 80A, 120W;
Automotive Power Discrete, 100V, 80A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
DPAK MOSFET 100V 0.008OHM AUTO
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance4.369 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation120 W
Rds On Max8 mΩ
Schedule B8541290080