CADモデル
製造元 STMicroelectronics STB6N80K5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTH6N95K5-2
N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
説明
STMicroelectronics STB6N80K5の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET N-CH 800V 4.5A 1.3Ohm D2PAK-TR
MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK / Zener-protected
N-Ch+Z-Dio 800V 4,5A 85W 1,6R D²Pak
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STB6N80K5
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 800V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 4.5A, 150度 C, 85W;
MOSFET, N-CH, 800V, 4.5A, 150DEG C, 85W;
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance255 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max1.6 Ω
Schedule B8541290080