STMicroelectronics STB34N50DM2AG

Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Farnell
2
STB34N50DM2AG01Cut Tape
8h
Microchip USASTB34N50DM2AG1,689600
41m
Component Stockers USASTB34N50DM2AG12,663
>1wk
Win SourceWS-STB34N50DM2AG6,97011
9h
Worldway ElectronicsSTB34N50DM2AG7,7487Tape & Reel
8h

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Farnell

Datasheet15ページ10年前

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Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)

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説明

STMicroelectronics STB34N50DM2AGの詳細は販売業者から提供されます。

Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ., 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
STMicroelectronics
Automotive Power Discrete, 500V, 26A, D2PAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STB34N50DM2AG
Newark
190W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 44nC@ 10 V 1N 500V 120m¦¸@ 12.5A,10V 26A 1.85nF@100V TO-263 10.4mm*9.35mm*4.6mm
Unikeyic (ICkey)
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
N-channel MDmesh >350 V to 700 V
Avnet
MOSFET, N-CH, 500V, 26A, TO263AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 26A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 190W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Farnell

画像

Newark
Lanka Micro

メーカーの別名

STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
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  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
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  • SGST
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  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
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