STMicroelectronics STB35N60DM2

Name: STMicroelectronics STB35N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB35N60DM2

N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package

$ 2.875

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
TME	2	STB35N60DM2-STM-0	2,000	1K					3.020	3.020	1h
Newark		STB35N60DM2	0	1	Cut Tape	7.110	5.120	3.990	3.960	3.960
Avnet		STB35N60DM2	0	1K					2.381	2.280	5d
Future Electronics	2	STB35N60DM2	0	1	Cut Tape	3.450	3.350	3.280	3.140	3.140
Arrow Electronics		STB35N60DM2	0	1K					2.875	2.707

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

STMicroelectronics STB35N60DM2のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Future Electronics

Datasheet15ページ10年前

Newark

在庫履歴

3か月間の傾向:

+0.00%

CADモデル

製造元 STMicroelectronics STB35N60DM2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2015-09-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

STMicroelectronics STB35N60DM2の詳細は販売業者から提供されます。

N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK / N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

Win Source

N-Channel 600 V 110 mOhm Surface Mount DM2 Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

210W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 54nC@ 10 V 1N 600V 110m¦¸@ 14A,10V 28A 2.4nF@100V D2PAK,TO-263

Unikeyic (ICkey)

Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 28A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.094ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 210W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

Farnell