CADモデル
製造元 STMicroelectronics STB20N65M5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTB28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
InfineonIPB65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB65R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
説明
STMicroelectronics STB20N65M5の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
(CP22-1029) Transistor 650V N-Channel Mosfet D2PAK STB20N65M5
N-Channel 710 V 190 mO 36 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Mosfet, N-Ch, 650V, 18A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB20N65M5
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
130W(Tc) 25V 5V@ 250µA 36nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 190mΩ@ 9A,10V 18A 1.434nF@100V D2PAK，TO-263-3 SMD mount 4.83mm(height)
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage710 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.434 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 MΩ
Rise Time7.5 ns
Schedule B8541290080