CADモデル
製造元 STMicroelectronics SM6T36CA のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.209
$ 0.126
$ 0.126
Stock
10,898,354
1,414,472
1,414,472
Authorized Distributors
6
6
6
Polarity
Bidirectional
Bidirectional
Bidirectional
Number of Unidirectional Channels
-
-
-
Number of Bidirectional Channels
1
1
1
Breakdown Voltage
36 V
36 V
36 V
Clamping Voltage
49.9 V
64.3 V
64.3 V
Peak Pulse Power
600 W
600 W
600 W
Peak Pulse Current
12 A
62 A
62 A
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.50
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
STMicroelectronics SM6T36CAの詳細は販売業者から提供されます。
TVS Diodes & ESD Suppressors; SM6T36CA; STMICROELECTRONICS; 30.8 V; 2; 49.9 V; 36 V
TVS Diode, Transil SM6T, Bidirectional, 30.8 V, 64.3 V, DO-214AA (SMB), 2 Pins
SM6T Series 64.3 V 62A (8/20µs) 600 W Surface Mount TVS Diode- SMB (DO-214AA)
62A@8/20us 600W 64.3V 34.2V 30.8V SMB(DO-214AA) ESD and Surge Protection (TVS/ESD) ROHS
DIODE, TVS, 36V, 600W, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:30.8V; Breakdown Voltage Range:34.2V to 37.8V; Clamping Voltage Vc Max:64.3V; Peak Pulse Current Ippm:12A; Diode Case Style:SMB; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Alternate Case Style:DO-214AA; Breakdown Voltage:36V; Breakover Voltage Min:34.2V; Capacitance Cd @ Vr Typ:950pF; Clamping Voltage @ 8/20µs Max:64.3V; Current Ir Max:1mA; Diode Configuration:Bidirectional; Diode Type:TVS, Bidirectional; Forward Surge Current Ifsm Max:100A; Package / Case:SMB; Peak Pulse Power:600W; Reverse Leakage Current Max:1µA; Reverse Voltage Vr Max:30.8V; SMD Marking:MV; Stand-off Voltage:30.8V; Termination Type:SMD; Uni / Bi Directional Polarity:Bidirectional
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageSMB
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Breakdown Voltage36 V
Capacitance950 pF
Clamping Voltage49.9 V
CompositionZener
DirectionBidirectional
Element ConfigurationSingle
ESD ProtectionNo
Leakage Current200 nA
Max Breakdown Voltage37.8 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)30.8 V
Max Reverse Leakage Current200 nA
Max Surge Current12 A
Min Breakdown Voltage34.2 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Bidirectional Channels1
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Peak Pulse Current12 A
Peak Pulse Power 600 W
Peak Reverse Current200 nA
PolarityBidirectional
Power Dissipation600 W
Power Line ProtectionNo
Power Rating600 W
Reverse Breakdown Voltage34.2 V
Reverse Standoff Voltage30.8 V
Schedule B8541100080
TerminationSMD/SMT
Test Current1 mA
Voltage Rating (DC)36 V
Dimensions
Height2.65 mm
Length4.6 mm
Width3.95 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsMIL-STD-750
REACH SVHCNo
RoHSCompliant