新機能： 新たな操作感で、必要な部品がすぐ見つかります

さらに詳しく

STMicroelectronics SCT50N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
$ 19.251
Obsolete
データシート
メーカーページ

価格と在庫

すべての値下げ情報を見る
販売業者
SKU
最小
パッケージ
バルク価格
Future Electronics
2
SCT50N120
477
2
Tube
USD
17.740
17.440
17.190
17.190
Verical
2
SCT50N120
575
2
USD
19.251
19.251
19.251
19.251
Arrow Electronics
2
SCT50N120
632
1
USD
27.471
22.135
22.135
22.135
22.135
DigiKey
497-16598-5-ND
228
1
Tube
USD
29.350
29.350
18.963
16.875
16.875
TME
2
SCT50N120
48
1
USD
27.820
25.320
25.310
25.310
25.310
13h

データシート & ドキュメント

STMicroelectronics SCT50N120のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Future Electronics

Datasheet12ページ9年前

TME

在庫履歴

3か月間の傾向:
+0.75%
Powered bySpectra logo

CADモデル

製造元 STMicroelectronics SCT50N120 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソースeCADmCADファイル
Component Search Engine
シンボルフットプリント
3D
ダウンロード
EE Concierge
シンボルフットプリント
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-02-15
LTD Date2026-08-15

関連部品

STMicroelectronicsSCT30N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
詳細
STMicroelectronicsSCT10N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
詳細
STMicroelectronicsSCT20N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
詳細
VishayIRFPG40PBF
Transistor MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin (3+Tab) TO-247AC
詳細
VishayIRFPF40PBF
Single N-Channel 900 V 2.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
詳細
VishayIRFPF50PBF
Single N-Channel 900 V 1.6 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
詳細

説明

STMicroelectronics SCT50N120の詳細は販売業者から提供されます。

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
STMicroelectronics
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Digi-ic_SMART PIONEER
N-Channel 1200 V 59 mO 122 nC Silicon Carbide Power Mosfet - HiP247
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 65A, HIP247-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:20V; Power Dissipation:318W RoHS Compliant: Yes
Newark

画像

Farnell
Augswan
TME
RS
Lanka Micro
Future Electronics

メーカーの別名

STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics