STMicroelectronics SCT30N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
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DistributorSKUMinPkg
Future ElectronicsSCT30N1203462Tube
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2
SCT30N120161
6h
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STMicroelectronics

Datasheet13ページ13年前

Future Electronics

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2026-02-15
LTD Date2026-08-15

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説明

STMicroelectronics SCT30N120の詳細は販売業者から提供されます。

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
STMicroelectronics
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
Single N-Channel 1200 V 270 W 105 nC SiC Through Hole Mosfet - HiP247
Future Electronics
MOSFET, N CH, 1.2KV, 40A, HIP247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; On Resistance Rds(on): 0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 20V; Threshold Voltage Vgs: 2.6V;
Farnell
Mosfet, N Ch, 1.2Kv, 40A, Hip247-3; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:40A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:1.2Kv; Resistencia De Activación Rds(On):0.08Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):20V |Stmicroelectronics SCT30N120
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Farnell
Newark
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Lanka Micro
Future Electronics

メーカーの別名

STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics