CADモデル
製造元 STMicroelectronics PD55008-E のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 11.314
$ 10.018
Stock
103,523
147,613
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
4 A
4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
52.8 W
52.8 W
Input Capacitance
58 pF
-
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
Diodes Inc.DMC4029SSDQ-13
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 40V, 7A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC4029SSDQ-13
Diodes Inc.DMC4029SSD-13
Dual N/P-Channel 40 V 34/55 mOhm 8.8/10.6 nC 1.8 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8
説明
STMicroelectronics PD55008-Eの詳細は販売業者から提供されます。
RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
STMicroelectronics SCT
PD55008-E Series 500 MHz 8 W 40 V N-Channel RF Power Transistor - POWERSO-10RF
8W 12.5V 500MHz LDMOS in PowerSO-10RF plastic package
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Rf Fet, 40V, 4A, Powerso-10Rf; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:4A; Power Dissipation Pd:52.8W; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:-; Rf Transistor Case:Powerso-10Rf; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics PD55008-E
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Frequency500 MHz
Gain15 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance58 pF
Max Frequency1 GHz
Max Operating Temperature165 °C
Max Output Power8 W
Max Power Dissipation52.8 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage12.5 V
Output Power8 W
Power Dissipation52.8 W
Power Gain17 dB
Schedule B8541290080
Test Current150 mA
Test Voltage12.5 V
Voltage Rating40 V
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height3.5 mm
Length7.5 mm
Width9.4 mm