CADモデル
製造元 STMicroelectronics MJE350 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.33
$ 0.325
$ 0.325
Stock
487,358
1,375,750
1,375,750
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
SOT-32
TO-225
TO-225
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
300 V
-
-
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
-
-
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
20.8 W
20 W
20 W
説明
STMicroelectronics MJE350の詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Through Hole
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, PNP, SWITCH, POWER, VCEO -300V, IC -0.5A, PD 20.8W, SOT-32
Bipolar Transistors (BJT); MJE350; STMICROELECTRONICS; PNP; 3; 300 V; 500 mA
MJE350 Series PNP 300 V 0.5 A Complementary Silicon Power Transistor - SOT-32
300V 20.8W 30@50mA,10V 500mA PNP SOT-32 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
STMicroelectronics PNPTransistor, SOT-32encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current-500 mA, maximum collector-emission voltage-300 V
TRANSISTOR, PNP TO-126; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 20.8W; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 30hFE; Transistor Case Styl
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
hFE Min30
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation20.8 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)-300 V
Dimensions
Height11.05 mm
Length7.8 mm
Width2.9 mm