CADモデル
製造元 STMicroelectronics BD241C のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | 3D | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.287
$ 0.397
$ 0.397
Stock
369,903
239,675
239,675
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
40 W
40 mW
40 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
onsemiKSE44H11TU
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
説明
STMicroelectronics BD241Cの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 5 A, 40 W, TO-220, Through Hole
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
BD241C NPN Bipolar Transistor, 3 A, 100 V, 3-Pin TO-220
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 100 V, 40 W, 5 A, 25 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics BD241C
BD241C Series NPN 100 V 3 A Flange Mount Silicon Power Transistor - TO-220
NPN POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors
Power Bipolar, NPN, 4V, 600mA, TO-220, Tube
STMicroelectronics SCT
1.2V@ 600mA,3A NPN 40W 5V 300¦ÌA 100V 3A TO-220 9.15mm
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 40W; DC Collector Current: 5A; DC Current Gain hFE: 25hFE; Transistor Case Style: TO
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min10
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation40 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm