CADモデル
製造元 STMicroelectronics BD135-16 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.223
$ 0.302
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Stock
662,102
354,970
354,970
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
SOT-32
TO-126
TO-126
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
1.5 A
1.5 A
1.5 A
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
1.25 W
1.25 W
1.25 W
説明
STMicroelectronics BD135-16の詳細は販売業者から提供されます。
45 V 1.5 A 1.25 W NPN Through Hole Bipolar (BJT) Transistor - SOT-32
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BD135-16 NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 3 A, 45 V, 3-PIN SOT-32
Trans Bjt Single, Npn, 45V, 1.5A; |Stmicroelectronics BD135-16
TRANSISTOR, NPN, SOT-32; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 12.5W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Case Style
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.25 W
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height10.8 mm
Length7.8 mm
Width2.7 mm