CADモデル
製造元 STMicroelectronics 2N7002 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.056
$ 0.054
$ 0.054
Stock
31,251,061
215,841,511
215,841,511
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
200 mA
115 mA
115 mA
Threshold Voltage
2.1 V
1 V
1 V
Rds On Max
5 Ω
7.5 Ω
7.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
18 V
20 V
20 V
Power Dissipation
350 mW
225 mW
225 mW
Input Capacitance
43 pF
50 pF
50 pF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2012-05-15
LTD Date2012-11-15
説明
STMicroelectronics 2N7002の詳細は販売業者から提供されます。
STMICROELECTRONICS 2N7002 MOSFET Transistor, N Channel, 180 mA, 60 V, 1.8 ohm, 10 V, 2.1 V
N-channel 60 V, 1.8 Ohm typ., 0.35 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a SOT-23 package
POWER MOSFET, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 1.8OHMS, ID 0.2A, SOT-23-3L, PD 0.35W, VGS+/-18V
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:0.2A; On Resistance, Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-23-3L ;RoHS Compliant: Yes
These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications. Product Highlights: High density cell design for extremely low RDS(ON). Voltage controlled small signal switch. Rugged and Relaible. High saturation current capability.
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)18 V
Input Capacitance43 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.1 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation350 mW
Rds On Max5 Ω
Rise Time15 ns
Threshold Voltage2.1 V
Turn-Off Delay Time7 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length3.03 mm
Width3.05 mm