CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.171
$ 0.163
Stock
1,123,877
438,682
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Continuous Drain Current (ID)
200 mA
200 mA
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
1.2 Ω
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
-
Power Dissipation
-
-
Input Capacitance
25 pF
-
サプライチェーン
Country of OriginSouth Korea, Thailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
Diodes Inc.DMN2990UFZ-7B
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.25A, X2-Dfn0606 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2990UFZ-7B
onsemiNTNS3190NZT5G
Small Signal Mosfet 20V 230 Ma 1.4 Ohm Single N−channel Xllga3/Reel |Onsemi NTNS3190NZT5G
onsemiNTK3142PT1G
Small Signal MOSFET 20V 280mA 3.4 Ohm Single P-Channel SOT-723 with ESD Protection
onsemiNTK3142PT5G
Small Signal MOSFET 20V 280mA 3.4 Ohm Single P-Channel SOT-723 with ESD Protection
説明
ROHM EM6K7T2Rの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 200mA 6-Pin SOT-563 Emboss T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 6-Pin EMT T/R / MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
EM6K7 Series 20 V 1.2 Ohm Surface Mount Dual N-Channel Mosfet - EMT-6
20V 200mA 1.2Ω@2.5V,200mA 150mW 2 N-Channel SOT-563 MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ROHM NMOS EM6K7, Vds=20 V, 200 mA, SOT-563, , 6
N+N CHAN.-FET+ESD 0,2A 20V EMT6
SMD 3412(1305), (3.4 x 1.25, t:1.1mm)
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance25 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time5 ns